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Si7726DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
4 8
36
24
V GS = 10 thr u 4 V
5
4
3
2
T C = 125 °C
12
V GS = 3 V
1
T C = 25 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.015
0.013
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2200
1760
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.011
0.009
V GS = 4.5 V
1320
88 0
0.007
0.005
V GS = 10 V
440
0
C rss
C oss
0
12
24
36
4 8
60
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 10 A
1.5
I D = 10 A
V GS = 10 V
V DS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 15 V
V DS = 20 V
1.2
0.9
0.6
0.3
V GS = 4.5 V
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68600
S-81737-Rev. B, 04-Aug-08
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